GexSi1—x／Si反型基区晶体管：工作原理与实验验证（Ⅰ）

本文介绍Ge_xSi_(1-x)/Si反型基区晶体管(BICFET)的工作原理和器件特性方面的理论研究和实验验证。该晶体管通过Ge_xSi_(1-x)与硅之间的价带非连续性把空穴限制在异质结界面,形成一个非常窄(～10nm)的基区;并通过外部基区的电势来调制空穴电荷,从而控制晶体管发射极与集电极之间的电子电流势垒高度。BICFET是首批利用Ge_xSi_(1-x)加工技术突破的一种双极器件,性能明显优于BJT。文章叙述了p沟Ge_xSi_(1-x)/Si BICFET的制作及其电特性测量结果。最后,对Ge_xSi_(1-x)/Si BICFET和Ge_xSi_(1-x)/Si HBT进行了比较,并指出了这种器件的前景。