高阻硅作衬底的短沟p—MOS晶体管

文章从定性方面研究了在高阻硅(3～10Ω·cm)衬底上,用3μmCMOS工艺制作的短沟(2.5～25μm)pMOS晶体管的性能,特别是这些器件用于模拟场合时在本体(|V_(gs)|>|V_r|)下的噪声性能。两种模式的噪声性能都用1/f噪声(谱频达约100Hz)和由衬底决定的白噪声来表征。研究了它们在导通区和关断区的性能。模拟和实验数据表明,这些晶体管具有二次线性区(称之为准线性区)而不是通常理论所描述的饱和区。