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二维正弦调制靶的图形转移研究
引用本文:孙骐,周斌,黄耀东,沈军,吴广明,唐伟星,杨帆,王珏. 二维正弦调制靶的图形转移研究[J]. 原子能科学技术, 2002, 36(4): 327-330
作者姓名:孙骐  周斌  黄耀东  沈军  吴广明  唐伟星  杨帆  王珏
作者单位:同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092
基金项目:国家"863"惯性约束聚变领域资助课题(863-416-3-3.6)
摘    要:根据惯性约束聚变分解实验的要求,通过激光干涉法在光刻胶表面制备正弦起伏图形,结合电镀图形转移工艺,获得了波长20-100μm、振幅0.2-3.5μm的一系列Ni基图形转移模板,并进一步将正弦起伏图形转移到聚苯乙烯薄膜表面,制备出聚苯乙烯二维调制箔靶。研究了图形的精确转移工艺,特别是深振幅样品的脱模工艺,对工艺参数的优化进行了讨论。采用台阶仪和原子力显微镜监控图形转移过程,比较了光刻胶表面图形和一次、二次电镀转移图形以及转移到聚苯乙烯薄膜上图形的形貌,测定了图形转移过程中的深度变化。

关 键 词:二维正弦调制靶 平面调制靶 电镀 图形转移工艺 惯性约束聚变
文章编号:1000-6931(2002)04/05-0327-04
修稿时间:2001-08-25

Study on Figure Transfer Process and the Preparation of Surface Perturbation Target
Abstract:
Keywords:
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