| 线型和带型α-Si3N4准一维结构的形成机理和表征 |
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| 引用本文： | 杜雪峰,祝迎春,许钫钫,杨 涛,曾 毅,沈 悦.线型和带型α-Si3N4准一维结构的形成机理和表征[J].无机材料学报,2009,24(1):65-68. |
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| 作者姓名： | 杜雪峰 祝迎春 许钫钫 杨 涛 曾 毅 沈 悦 |
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| 作者单位： | 1.上海大学材料学院,上海200072;2.中国科学院上海硅酸盐研究所特种无机涂层重点实验室，上海200052 |
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| 摘 要： | 采用高温氮化合成的热化学方法制备了单晶的线型和带型α-Si3N4准一维结构.其中线型α-Si3N4准一维结构沉积在温度较低的反应区域(1200℃)，而带型α-Si3N4准一维结构则沉积在高温原料源附近位置(1450℃).经XRD、SEM、TEM、HRTEM分析表明,制备的线型和带型α-Si3N4准一维结构均为单晶；线型α-Si3N4直径约为100~300nm,长为几十微米；而带型α-Si3N4厚约30nm,宽度在300nm~2μm之间，长度为几微米到几十微米.从晶体生长热力学及动力学方面讨论了线型和带型α-Si3N4准一维结构的生长过程和分区沉积的原因.结果表明，较高的温度和过饱和度有利于形成带型准一维结构.
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| 关 键 词： | 分区沉积 线型和带型α-Si3N4 准一维结构
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| 收稿时间： | 2008-3-27 |
| 修稿时间： | 2008-5-7 |
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