| 阵列化锰铜高压传感器的研制 |
| |
| 引用本文： | 段建华,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁.阵列化锰铜高压传感器的研制[J].传感器与微系统,2003,22(10):27-29. |
| |
| 作者姓名： | 段建华 杨邦朝 杜晓松 周鸿仁 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
| |
| 摘 要： | 通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺,制作了一种新型的薄膜式锰铜传感器。采用熔融石英材料作为绝缘基板。在绝缘基板上沉积锰铜敏感薄膜。并在敏感薄膜的上面沉积SiO2封装层薄膜。根据"后置"式传感器由阻抗匹配原则,计算出铝靶板中的最高压力为51.68GPa,SiO2封装材料中的压力为35.396GPa。
|
| 关 键 词： | 锰铜传感器 熔融石英 后置式 |
| 文章编号： | 1000-9787(2003)10-0027-03 |
| 修稿时间： | 2003年4月26日 |
Development of manganin high pressure array sensor |
| |
| Abstract: | A new kind of thin film manganin sensor is fabricated by developing structure design,new sensing and packaging materials, and adopting new fabrication technique.Manganin thin films are deposited by magnetron sputtering on fused silica substrates,and then covered by a layer of SiO2 thin films through electron beam evaporation. Based on impedance match method of "back configuration"sensor,the highest pressure in Al is 51.68?GPa and SiO2 is 35.396?GPa. |
| |
| Keywords: | manganin sensor fused silica back configuration |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
