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| 洁净区硅外延生长及其在分立器件上的应用 | |
| 摘 要： | <正> 一、前言近年来为了解决硅器件工艺中的重金属沾污问题,国内外开展了大量的有关吸杂的研究工作。由于内吸杂技术具有独特的优点,国外有些科学家把它称作为“硅材料的第二次工业革命”。本文主要是讨论洁净区形成的原理、工艺和以洁净化硅衬底制备硅外延材料及其在硅分立器件上的应用等方面问题。我们知道,制备集成电路所用硅片的洁净区化和外吸杂技术用以减少外延层中缺陷,提高外延层质量的研究工作,在国内外报道的比较多。然而利用洁净区化硅衬底制备优 |
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