| GaN生长速率的研究 |
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| 引用本文： | 金瑞琴,赵德刚,刘建平,张纪才,杨辉. GaN生长速率的研究[J]. 半导体学报, 2005, 26(4): 726-729 |
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| 作者姓名： | 金瑞琴 赵德刚 刘建平 张纪才 杨辉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系．GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小，而随TMGa流量的增加线性的增加．在不同NH3流量的情况下，GaN生长速率随TMGa流量增加的速率不同．GaN的生长速率与Ⅴ/Ⅲ比没有直接的关系，而与NH3，TMGa等条件有关．实验结果表明，MOCVD系统中存在着较强的预反应．预反应的程度与TMGa的流量成正比．
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| 关 键 词： | MOCVD GaN 在位监控 生长速率 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)04-0726-04 |
| 修稿时间： | 2004-04-17 |
Growth Rate of GaN Grown by MOCVD |
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| Jin Ruiqin,Zhao Degang,Liu Jianping,Zhang Jicai,Yang Hui. Growth Rate of GaN Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(4): 726-729 |
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| Authors: | Jin Ruiqin Zhao Degang Liu Jianping Zhang Jicai Yang Hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD GaN in situ laser reflectometry growth rate |
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