| 射频磁控溅射法制备的ZnO:Al薄膜在不同偏压下的光电特性 |
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| 引用本文： | 陈阳阳,史永胜,宁磊. 射频磁控溅射法制备的ZnO:Al薄膜在不同偏压下的光电特性[J]. 材料导报, 2010, 24(Z1) |
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| 作者姓名： | 陈阳阳 史永胜 宁磊 |
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| 作者单位： | 陕西科技大学电气与信息工程学院,西安,710021 |
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| 基金项目： | 陕西科技大学博士基金 |
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| 摘 要： | 采用RF磁控溅射法在玻璃衬底和PET衬底上沉积了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,衬底的直流偏压为0～50V.主要研究了薄膜的结构、光学和电学特性.在玻璃衬底上制备AZO薄膜的沉积速率随偏压的升高而增大,然而再增加偏压时反而下降.当偏压为30V时,在玻璃衬底上制备的薄膜的最低电阻率为6.5×10-4Ω·cm,在波长450～800nm内的平均透射率大于80%;在PET衬底上制备的薄膜也有相似的特性,但没有在玻璃衬底上制备的好.
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| 关 键 词： | 玻璃衬底 光电性能 |
Electrical and Optical Properties of ZnO:Al Films by RF-magnetron under Different Bias |
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| CHEN Yangyang,SHI Yongsheng,NING Lei. Electrical and Optical Properties of ZnO:Al Films by RF-magnetron under Different Bias[J]. Materials Review, 2010, 24(Z1) |
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| Authors: | CHEN Yangyang SHI Yongsheng NING Lei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AZO PET |
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