|
|||||
|
|
| 一种0.1-1.2GHz的CMOS射频收发开关芯片设计 | |
| 引用本文： | 王立果周鹏.一种0.1-1.2GHz的CMOS射频收发开关芯片设计[J].电子产品世界,2014(Z1):27-29. |
| 作者姓名： | 王立果周鹏 |
| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院; |
| 基金项目： | “新一代宽带无线移动通信网”国家科技重大专项--面向行业专网应用的带宽可变频点可变无线宽带射频芯片研发(2012ZX03004008) |
| 摘 要： | 本文设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片。该电路采用深N阱体悬浮技术,在1.8V电压供电下,该射频开关收发两路在0.1-1.2GHz内的测试结果具有0.7dB的插入损耗、优于-20dB的回波损耗以及-37dB以下的隔离度。本开关采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工艺,芯片总面积为0.53mm2。本文网络版地址:http://www.eepw.com.cn/article/233865.htm |
| 关 键 词： | 射频开关 CMOS 超宽带 插入损耗 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |