一种0.1-1.2GHz的CMOS射频收发开关芯片设计 |
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作者姓名: | 王立果周鹏 |
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作者单位: | 天津大学电子信息工程学院; |
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基金项目: | “新一代宽带无线移动通信网”国家科技重大专项--面向行业专网应用的带宽可变频点可变无线宽带射频芯片研发(2012ZX03004008) |
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摘 要: | 本文设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片。该电路采用深N阱体悬浮技术,在1.8V电压供电下,该射频开关收发两路在0.1-1.2GHz内的测试结果具有0.7dB的插入损耗、优于-20dB的回波损耗以及-37dB以下的隔离度。本开关采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工艺,芯片总面积为0.53mm2。本文网络版地址:http://www.eepw.com.cn/article/233865.htm
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关 键 词: | 射频开关 CMOS 超宽带 插入损耗 |
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