| SOI／SDB COMS环形振荡器的研究 |
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| 引用本文： | 詹娟.SOI／SDB COMS环形振荡器的研究[J].电子器件,1997,20(4):46-49. |
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| 作者姓名： | 詹娟 |
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| 作者单位： | 东南大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 本文主要研究了硅片直接键合技术制备ＳＯＩ材料，并在此材料上采用全离子注入硅栅工艺制造了１μｍ沟道ＣＭＯＳ环形振荡器。由于ＳＯＩ。ＳＤＢ中的硅膜保持着本体硅的性质，故所得陪管的特性比较好，（迁移率：ＮＭＯＳ为６８０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，ＰＭＯＳ为３７０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，跨导：ＮＭＯＳ为３８ｍＳ，ＰＭＯＳ为２５ｍＳ）。但发现ＭＯＳ管具有“Ｋｉｎｋ”效应，随着硅膜厚度的减小，“Ｋｉｎｋ”效应有所抑制。实验所得ＣＭＯＳ１９级环形振荡器的单级延时为０．７９ｎｓ，由此可见，ＳＯＩ／ＳＤＢ材料在ＶＬＳＩ中将有很大的发展前景
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| 关 键 词： | 硅 SDB CMOS 环形 振荡器 VLSI |
Research of SOI/SDB COMS Circular Oscillator |
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| Zhan,Juan.Research of SOI/SDB COMS Circular Oscillator[J].Journal of Electron Devices,1997,20(4):46-49. |
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| Authors: | Zhan Juan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon SDB CMOS |
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