邻联甲苯胺零流电位传感器的制备及其应用

采用连续扫描循环伏安法在石墨烯修饰的铅笔芯电极(PEC)表面,制备出邻联甲苯胺分子印迹聚合物(O-TD-MIP)。在零流电位系统下,O-TD-MIP重新印迹吸附模板分子邻联甲苯胺(O-TD)时,O-TD浓度在1.0×10~(-9)～1.0×10~(-6)mol·L~(-1)范围内,印迹电极的零流电位E_(ZCP)与其浓度对数log[O-TD]呈现良好的线性关系,且检测限达到8.07×10~(-10)mol·L~(-1)。与邻联甲苯胺结构相近的有机物如对氯苯胺、邻甲苯胺、联苯胺、4-氨基偶氮苯和4-氨基联苯等不干扰测定。5根印迹电极对同一浓度O-TD测试,其零流电位的相对标准偏差为0.34%,显示印迹电极具有良好的重现性;一根电极每隔2 d、连续10次测试结果显示,零流电位的相对标准偏差为0.44%,因此印迹电极非常稳定。由此制备出O-TD的零流电位法传感器。该传感器用于实际样品中O-TD检测,平均回收率为96.53%～103.10%,结果满意。