| 一种多模多频无线收发器前端SiGe BiCMOS低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 周进,田亮,陈磊,阮颖,赖宗声.一种多模多频无线收发器前端SiGe BiCMOS低噪声放大器[J].微电子学,2009,39(5). |
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| 作者姓名： | 周进 田亮 陈磊 阮颖 赖宗声 |
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| 作者单位： | 1. 华东师范大学,微电子电路与系统研究所,上海,200062
2. 华东师范大学,微电子电路与系统研究所,上海,200062;华东师范大学,纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海,200062 |
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| 基金项目： | 上海市科委项目，纳光电教育工程中心(NPAI)项目，上海重点学科建设项目 |
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| 摘 要： | 基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种应用于2.4～2.5GHz 802.11b/g频段的低噪声放大器(LNA).电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基(Cascode)结构,对称电感有效地降低了芯片面积,优化了电路性能.仿真结果表明:该电路在2.4 GHz到2.5 GHz频率范围内,增益(S21)达到25 dB,噪声系数(NF)小于1.5 dB,大幅度提高了收发机系统的性能.此外,输入和输出匹配(S11,S22)分别达到-15 dB,1 dB压缩点大于-25 dBm.电源电压为2.5 V时电路总电流为3 mA.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 共射共基 |
SiGe BiCMOS LNA for Multi-mode and Multi-frequency Wireless Transceiver Front-end |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe BiCMOS |
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