X波段400 W GaN内匹配功率管北大核心CSCD |
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作者姓名: | 唐世军顾黎明陈韬彭劲松 |
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作者单位: | 1.南京电子器件研究所210016; |
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摘 要: | 报道了X波段脉冲输出功率超过400 W的GaN HEMT内匹配功率管。该器件内部包含了4只14.4mm栅宽GaN HEMT管芯。输入输出同时采用了一级L-C阻抗变换和两级微带阻抗变换器。该器件在9.0~10.0GHz频带内,在漏极电压为50V、脉冲宽度100μs、占空比10%测试条件下,输出功率达到了400 W以上,功率增益大于9dB,附加效率高于37.7%,带内峰值输出功率450 W。
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关 键 词: | 氮化镓 高电子迁移率晶体管 内匹配功率管 X波段 |
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