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反射式GaAs光电阴极的热增强光电发射能量转换理论研究北大核心CSCD
作者姓名:王贵圆  富容国  杨明珠  石峰  程宏昌  常本康
作者单位:1.南京理工大学电子工程与光电技术学院210094;2.南京信息工程大学物理与光电工程学院210044;3.微光夜视即使重点实验室710065;
基金项目:国家自然科学基金项目(编号:91433108;61705108);江苏省青年自然科学基金项目(编号:BK20170959);江苏省研究生培养创新工程(编号:KYZZ16_0178)
摘    要:热增强光电发射是一种新的太阳能转换技术,它可以将光电发射和热电发射结合到一个过程中。本文在细节平衡条件下对光子增强热电子发射进行了理论计算,并给出了反射式GaAs光电阴极的增强热电子发射电流密度和能量转换效率。计算结果表明,阴极的电子亲和势增高会降低发射电流密度,提高输出电压,影响能量转换效率。当电子亲和势为负时,平台期能量转换效率约为15%,当电子亲和势为正时,能量转换效率可以超过25%。实验测得反射式GaAlAs/GaAs真空光电二极管的光电发射过程随温度提高而增强,在短波段更为明显。若以低功函数金刚石薄膜为阳极,可计算其能量转换效率约为2.7%,并随温度提高而略有提升。

关 键 词:热增强光电发射  光子增强热电子发射  反射式GaAs阴极  太阳能转换
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