| 高RF功率制备的ZnO:Li薄膜性能研究 |
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| 引用本文： | 朱兴文,李勇强,陆液,李英伟,夏义本.高RF功率制备的ZnO:Li薄膜性能研究[J].压电与声光,2006,28(5):575-577. |
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| 作者姓名： | 朱兴文 李勇强 陆液 李英伟 夏义本 |
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| 作者单位： | 上海大学,材料学院,上海,200072 |
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| 基金项目： | 上海市重点学科基金资助项目(T0101) |
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| 摘 要： | 实验采用射频(RF)磁控溅射法在高射频功率(550 W)下制备了Zn0.9Li0.1O薄膜,探讨了薄膜的光学性能,并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比较。结果表明,高功率下溅射的薄膜晶粒均匀细小,表面平整致密,在可见光波长范围内,透过率达80%。该薄膜的光学带隙约3.29 eV,明显低于低功率溅射的薄膜(3.44 eV)。其室温光致发光(PL)谱结果显示,最强峰是由Li杂质能级引起的399 nm峰,热处理后,370 nm的带间发光峰增强,而低功率制备的薄膜其PL谱与纯ZnO材料的特征谱相似。
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 磁控溅射法 Li掺杂 高射频(RF)功率 室温光致发光(PL)谱 |
| 文章编号： | 1004-2474(2006)05-0575-03 |
| 收稿时间： | 2005-05-15 |
| 修稿时间： | 2005年5月15日 |
Optical Properties and Surface Morphology of ZnO:Li Thin Films Sputtering Deposited under High RF Power |
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| ZHU Xing-wen,LI Yong-qiang,LU Ye,LI Ying-wei,XIA Yi-ben.Optical Properties and Surface Morphology of ZnO:Li Thin Films Sputtering Deposited under High RF Power[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2006,28(5):575-577. |
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| Authors: | ZHU Xing-wen LI Yong-qiang LU Ye LI Ying-wei XIA Yi-ben |
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| Affiliation: | School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072 ,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO thin film RF magnetron sputtering Li dopant high RF power photoluminescence |
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