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非导电材料的荷电衬度的探讨
引用本文:吉元,张隐奇,权雪玲,张虹,钟涛兴. 非导电材料的荷电衬度的探讨[J]. 电子显微学报, 2005, 24(4): 376-376
作者姓名:吉元  张隐奇  权雪玲  张虹  钟涛兴
作者单位:北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京,100022
摘    要:在以电子束为基础的显微分析技术中,如SEM,EPMA及AES等,非导电样品在电子束辐照下产生的荷电效应会给观察和分析带来很大的困难,如造成图像畸变,严重时甚至无法成像,并给元素分析带来误差等。而另一方面,由于荷电现象与材料的微观结构缺陷以及材料的导电、介电、压电、导热等物理性能和机械应力密切相关,因此,在合适的成像条件下,荷电效应可以显示出材料的局域性能及微观结构特征。

关 键 词:非导电材料 荷电效应 微观结构特征 电子束辐照 衬度 物理性能 成像条件 微分析技术 EPMA

Preliminary of charging contrast imaging of non-conductive materials
JI Yuan,ZHANG Yin-qi,QUAN Xue-ling,ZHANG Hong,ZHONG Tao-xing. Preliminary of charging contrast imaging of non-conductive materials[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2005, 24(4): 376-376
Authors:JI Yuan  ZHANG Yin-qi  QUAN Xue-ling  ZHANG Hong  ZHONG Tao-xing
Abstract:
Keywords:
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