| 表面电荷积聚对绝缘子沿面闪络影响的研究 |
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| 引用本文： | 汪沨,邱毓昌,张乔根,王琦. 表面电荷积聚对绝缘子沿面闪络影响的研究[J]. 中国电力, 2002, 35(9): 52-55 |
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| 作者姓名： | 汪沨 邱毓昌 张乔根 王琦 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,陕西,西安,710049 |
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| 基金项目： | 教育部高校博士点基金资助项目(20010698014) |
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| 摘 要： | 通过对典型绝缘子表面电荷分布特点的分析，研究了表面电荷与放电起始间的关系。研究表明在表面电荷作用下绝缘子沿面闪络起始电压会发生变化。对110kV三相共箱式GIS绝缘子的闪络实验表明，表面电荷可使绝缘子沿面闪络电压下降23．4％。对位移电流作用下的绝缘子沿面闪络先导发展模型进行改进，补充了表面电荷对该模型的影响。指出表面电荷产生的附加电场会影响流注电晕内部正负电荷的分离速度及放电的进一步发展。
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| 关 键 词： | 表面电荷积聚 绝缘子 沿面闪络 |
| 文章编号： | 1004-9649(2002)09-0052-04 |
| 修稿时间： | 2002-06-03 |
Study on influence of surface charge accumulation on flashover of insulator |
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