| 烧结温度对PMSZT压电陶瓷性能的影响 |
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| 引用本文： | 何杰,孙清池,刘培祥,李红元. 烧结温度对PMSZT压电陶瓷性能的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2008, 37(Z1): 195-198 |
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| 作者姓名： | 何杰 孙清池 刘培祥 李红元 |
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| 作者单位： | 天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072 |
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| 基金项目： | 天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室资助(x06050) |
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| 摘 要： | 探讨了烧结温度对SiO2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1、3Sb2、3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT)压电陶瓷性能的影响.通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb(Mn1、3Sb2、3)0.05Zr0.47Ti0.48O3 0.1%(SiO2)(质量分数)陶瓷的相组成和显微结构.结果表明合成温度900℃时,可以得到钙钛矿结构.对于适量SiO2掺杂PMSZT压电陶瓷,可以在1100～1150℃时烧结实现致密化,并且介电压电性能较好,当烧结温度为1100℃时综合性能最佳,E33T/ε0=1290,tanδ=0.45%,d33=264 pC/N,Kp=0.59,Qm=2400.
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| 关 键 词： | 压电陶瓷 锑锰锆钛酸铅 SiO2 低温烧结 |
| 文章编号： | 1002-185X(2008)S1-195-04 |
| 修稿时间： | 2007-09-01 |
Effects of Sintering Temperature on the Properties of PMSZT Piezoelectric Ceramics |
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| He Jie,Sun Qingchi,Liu Peixiang,Li Hongyuan. Effects of Sintering Temperature on the Properties of PMSZT Piezoelectric Ceramics[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2008, 37(Z1): 195-198 |
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| Authors: | He Jie Sun Qingchi Liu Peixiang Li Hongyuan |
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