p~+-GaInAsSb/p-GaInAsSb/n-GaSb异质结红外控测器 |
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作者姓名: | 李树玮 金亿鑫 张宝林 周天明 蒋红 宁永强 元光 |
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作者单位: | 中国科学院长春物理研究所 |
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摘 要: | GaInAsSb是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积(MOCVD)技术在n型GaSb衬底上成功地生长了GaInAsSb外延层,用PL谱、红外吸收谱、X射线衍射和扫描电子超声显微镜(ScanningElectronAcousticMicroscopy,SEAM)等实验手段对GaInAsSb外延层进行了表征。用GaInAsSb材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达2.4μm,室温探测率D*达1×109cmHz(1/2)/W,2.25μm波长时的量子效率为30%。本文首次给出了GaInAsSb外延层的扫描电子超声显微镜像(SEAM像),为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。
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关 键 词: | p~+-GaInAsSb/p-GaInAsSb/n-GaSb,红外探测器,扫描电子超声显微镜 |
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