X-射线研究半导体材料切、磨、抛损伤阶段报告(一)

文章对X射线在晶体材料中产生的衍射峰值半高宽度与其晶格完整性之间的关系进行了论述。对Si,GaAs、InP材料在切、磨、抛加工过程中带来的损伤进行了测量和对比,发现用测量半导体材料的X射线衍射峰值半宽度的大小来确定材料质量的好坏,是一种切实可行的办法。另外,通过观察和测量, 发现InP有较强的碎性,经研磨工艺后它的半宽度变宽的反常现象。因此,对这种材料的加工方法有待进一步改进。文章还对出现的一些现象作了初浅的理论解释。