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| 变换工艺条件对C.V.D法制得的多晶硅薄膜电阻率及其剖面分布的影响 | |
| 作者姓名： | 韩桂林 王岚 刘连元 |
| 作者单位： | 中国科学院长春应用化学研究所(韩桂林，王岚)，中国科学院长春应用化学研究所(刘连元) |
| 摘 要： | 为了制备高效多晶硅薄膜太阳电池及其它半导体薄膜光电器件,除了需要选择成膜工艺条件外,还应借助对工艺条件等的控制,实现对膜的电阻率及其剖面分布的有效控制,这在光伏电池及半导体器件研制过程中是很重要的。本工作基于上述目的,在用化学气相沉积法(C.V.D)制备多晶硅薄膜太阳电池过程中,对膜的电阻率及其剖面分布与各种工艺条件的关 |
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