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| 在GaAs和InP晶片上用PECVD法淀积Si_3N_4膜 | |
| 引用本文： | 沈家树,张瑞君.在GaAs和InP晶片上用PECVD法淀积Si_3N_4膜[J].半导体光电,1987(3). |
| 作者姓名： | 沈家树 张瑞君 |
| 作者单位： | 重庆光电技术研究所 (沈家树)，重庆光电技术研究所(张瑞君) |
| 摘 要： | 本文报导用PECVD法成功地在GaAs和InP晶片上制作了Si_3N_4膜。文中给出了不同射频功率、淀积温度及Si/N比条件下所得到的淀积速率、薄膜折射率及腐蚀速率等主要实验数据。首次报导直接利用椭圆偏振光测厚仪测量GaAs和InP衬底上所淀积的Si_3N_4膜,同时用红外透射光谱分析了Si_3N_4膜。 |
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