| 激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响 |
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| 引用本文： | 张燕,李向阳,方家熊. 激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响[J]. 功能材料与器件学报, 2000, 6(4): 440-443 |
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| 作者姓名： | 张燕 李向阳 方家熊 |
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| 作者单位： | 传感器国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
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| 基金项目： | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室资助 |
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| 摘 要： | 利用脉冲ＹＡＧ激光器对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火、分析不同能量密度的激光光束退火所引起的样品表面电学性质的变化。实验表明，激光能量密度越大，激光退火的效果越明显。我们认为要达到理想退火效果，样品表面一薄层需处迂近熔化状态，以得到晶格结构的重新组织。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 激光退火 迁移率谱 激光能量 电导率 |
| 修稿时间： | 2000－07－18 |
Effect of laser energy on annealing of ion implanted HgCdTe |
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| ZHANG Yan,LI Xiang-yang,FANG Jia-xiong. Effect of laser energy on annealing of ion implanted HgCdTe[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2000, 6(4): 440-443 |
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| Authors: | ZHANG Yan LI Xiang-yang FANG Jia-xiong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe Laser annealing Mobility spectrum |
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