有源层表面性质对晶硅电池暗 I-V 特性的影响

利用有限差分法求解半导体器件基本方程,研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明:当晶硅电池无体内缺陷和表面缺陷或当仅存在表面悬键、杂质和缺陷,且三者起施主型和受主型陷阱作用时,正向偏压下的晶硅电池暗I-V特性曲线与理想二极管I-V特性曲线相同,但当正向偏压大于PN开启电压0.59V,晶硅电池暗I-V特性曲线将偏离理想二极管I-V特性曲线,且偏离程度随表面悬键、杂质和缺陷浓度的增加而增大;当表面悬键、杂质和缺陷起复合中心作用时,晶硅电池暗I-V特性曲线将偏离理想二极管I-V特性曲线;就对暗I-V特性曲线的影响而言,复合中心最大,施主型次之,受主型最小。