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| Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究 | |
| 作者单位： | ;1.深圳深爱半导体股份有限公司;2.中国电子科技集团公司第58研究所 |
| 摘 要： | 首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650~800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65 eV,理想因子接近于1。 |
| 关 键 词： | Ni(W)Si 热稳定性 肖特基势垒二极管 XRD Raman光谱 卢瑟福背散射 快速热退火(RTA) |
Studies of Electrical Properties of Ni(W)Si/Si Schottky Barrier Diode |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |