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| 无压烧结SiC-AlN复相陶瓷导热和介电性能的研究 | |
| 作者单位： | ;1.南京三乐电子信息产业集团有限公司;2.南京工业大学材料科学与工程学院 |
| 摘 要： | 添加10%(质量分数)BaO-SiO_2-Y_2O_3烧结助剂在氮气氛下无压烧结制备SiC-AlN复相陶瓷。研究了SiC含量、烧结温度对复相陶瓷烧结性能、显微结构、热导率和高频介电性能的影响。结果表明:样品中主晶相为6H-SiC和AlN,次晶相为Y_3Al_5O_(12)和Y_4Al_2O_9;当SiC质量分数为50%时,1850℃烧结1 h,显气孔率低于0.3%;而Si C含量继续增加,显气孔率显著上升。热导率、介电常数和介电损耗都随着烧结温度的升高而升高。当Si C质量分数为50%时,1900℃下复相材料呈现最好的热扩散系数和热导率,分别为26.3 mm~2·s~(–1)和61.5W·m~(–1)·K~(–1);1850℃下获得的Si C-Al N复相陶瓷在12.4~18 GHz频率范围内获相对介电常数和介电损耗分别为33~37和0.4~0.5,该频段内随频率升高,介电常数和介电损耗下降。 |
| 关 键 词： | SiC-AlN 无压烧结 BaO-SiO_2-Y_2O_3烧结助剂 氮气氛 热导率 介电性能 |
Thermal conductivity and dielectric properties of SiC-AlN composites by pressureless sintering |
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| Keywords: | |