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| 快速退火温度对Ag/SrTiO_3/p~+-Si器件阻变特性的影响 | |
| 作者单位： | ;1.桂林电子科技大学材料科学与工程学院 |
| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶结合快速退火工艺在p~+-Si基片上制备了Sr Ti O_3薄膜,构建了Ag/Sr Ti O_3/p~+-Si结构的阻变器件,研究了退火温度对薄膜微观结构、阻变特性的影响。结果表明:不同退火温度下薄膜均呈结晶态,并且随退火温度升高,薄膜晶粒有增大的趋势,当退火温度为750℃时,薄膜的衍射峰不明显并且有杂峰出现。不同退火温度下Ag/Sr Ti O_3/p~+-Si器件都具有明显的双极性阻变特性,但退火温度为850℃与900℃的器件在扫描电压达到某一值时电流会出现一个极小值;经850℃退火处理的器件具有更高的高低电阻比(103～104)。当退火温度为800℃及更高时,器件在高阻态下的导电机制以肖特基势垒发射机制为主;低阻态的电荷传导机制则遵循空间电荷限制电流机制(SCLC)。器件在200次可逆循环测试下,退火温度为850℃时表现出较好的抗疲劳特性。 |
| 关 键 词： | Ag/Sr Ti O_3/p~+-Si 快速退火 溶胶-凝胶 退火温度 阻变存储器 导电机制 |
Effects of rapid thermal annealing temperature on resistance switching properties of Ag/SrTiO_3/p~+-Si devices |
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| Keywords: | |