|
|||||
|
|
| 200 mm Trench MOSFET管用硅外延电阻率管控 | |
| 作者单位： | ;1.中国电子科技集团公司第55研究所 |
| 摘 要： | 200 mm重掺As衬底的MOSFET外延片在后续芯片制程中,由于还需要经历高温环节(大于1100℃),因此衬底中As的自掺杂效应将再次出现,从而使外延片边缘区域的电阻率降低明显。在外延过程中,需要将外延片边缘区域的电阻率有意控制略高于中心区域。在控制过程中通过引入Offset(差值)的管理方法,确保外延层边缘3 mm区域与中心区域的偏差减小,从而实现片内管芯之间性能一致。 |
| 关 键 词： | 自掺杂效应 Offset-chart 高温烘烤工艺 |
Control Method of Silicon Epitaxial Resistivity for 200 mm Trench MOSFET |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |