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| 基于InP HBT的5 GS/s采样保持电路设计 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 基于0.7μm、ft=280 GHz的InP HBT工艺设计了一种双开关宽带超高速采样保持电路。芯片面积1.5 mm×1.8 mm,总功耗小于2.1 W。仿真结果表明,电路可以在5 GS/s采样速率下正常工作。当采样速率分别为5 GS/s和1 GS/s时,在输入信号功率为4 d Bm的情况下,采样带宽分别为16 GHz和20 GHz;在输入信号功率为4 d Bm且其频率小于5 GHz的情况下,电路的SFDR分别不低于43 d Bc和50 d Bc。 |
| 关 键 词： | 采样保持电路 超高速 宽带 磷化铟 异质结双极晶体管 |
Design of 5 GS/s Track-and-Hold Amplifier in InP HBT Technology |
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| Keywords: | |