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| 超低温漂带隙基准电压源设计 | |
| 作者单位： | ;1.江南大学物联网工程学院;2.中国电子科技集团公司第58研究所 |
| 摘 要： | 在对传统带隙基准电压源进行理论分析的基础上,结合当前IC设计中对基准电压源低温漂、高电源抑制比的要求,设计了一种超低温漂的带隙基准电压源电路。该电路带有启动电路和高阶温度补偿电路。仿真结果表明,在-55~125℃的温度范围内获得了1.65×10-6/℃的温漂系数,低频时的电源抑制比达到-62 d B。 |
| 关 键 词： | 高阶温度补偿 低温漂系数 高电源抑制比 |
Design of Ultralow Temperature Drift Bandgap Reference Voltage Source |
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