| 硅基高度择优取向PZT厚膜的制备及性能研究 |
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| 引用本文： | 刘保亭,程春生,赵庆勋,闫正,马良,李锋,武德起. 硅基高度择优取向PZT厚膜的制备及性能研究[J]. 功能材料, 2006, 37(9): 1392-1394 |
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| 作者姓名： | 刘保亭 程春生 赵庆勋 闫正 马良 李锋 武德起 |
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| 作者单位： | 河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 河北省自然科学基金 , 教育部留学回国人员科研启动基金 , 河北大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 应用溶胶-凝胶法成功地在以SrTiO3(STO)为模板/阻挡层Si(001)基片上制备了La-Sr-Co-O/ Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)/La-Sr-Co-O/STO/Si异质结,PZT的厚度为0.8μm.研究了异质结的结构和性能.实验发现,PZT结晶良好、具有(001)高度择优取向以及较高的极化强度和较小的极化强度对脉冲宽度的依赖性;当外加电压为50V时,电阻率仍＞108Ω·cm.
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| 关 键 词： | 硅衬底 锆钛酸铅 溶胶-凝胶法 厚膜 |
| 文章编号： | 1001-9731(2006)09-1392-03 |
| 收稿时间： | 2005-12-26 |
| 修稿时间： | 2006-04-24 |
Fabrication and investigation of Si-based PZT thick films |
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| LIU Bao-ting,CHENG Chun-sheng,ZHAO Qing-xun,YAN Zheng,MA Liang,LI Feng,WU De-qi. Fabrication and investigation of Si-based PZT thick films[J]. Journal of Functional Materials, 2006, 37(9): 1392-1394 |
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| Authors: | LIU Bao-ting CHENG Chun-sheng ZHAO Qing-xun YAN Zheng MA Liang LI Feng WU De-qi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si substrate Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3 sol-gel method thick film |
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