| ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响 |
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| 引用本文： | 樊中朝,余金中,陈少武,杨笛,严清峰,王良臣.ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响[J].半导体学报,2004,25(11):1500-1504. |
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| 作者姓名： | 樊中朝 余金中 陈少武 杨笛 严清峰 王良臣 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室 北京100083
(樊中朝，余金中，陈少武，杨笛，严清峰)，中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室 北京100083(王良臣) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 研究了以C4F8/SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系.实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数,在低偏压、低C4F8/SF6比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁.通过优化刻蚀参数,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导
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| 关 键 词： | SOI ICP 粗糙度 脊形光波导 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)11-1500-05 |
| 修稿时间： | 2003年11月23日 |
Influence of Etching Parameters on Sidewall Roughness of Silicon Based Waveguide Etched by Inductively Coupled Plasma |
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| Fan Zhongchao,Yu Jinzhong,Chen Shaowu,Yang Di,Yan Qingfeng and Wang Liangchen.Influence of Etching Parameters on Sidewall Roughness of Silicon Based Waveguide Etched by Inductively Coupled Plasma[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(11):1500-1504. |
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| Authors: | Fan Zhongchao Yu Jinzhong Chen Shaowu Yang Di Yan Qingfeng and Wang Liangchen |
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| Abstract: | The relationship between the side-wall roughness of SOI rib-waveguide etched by C 4F 8/SF 6/O 2 inductively coupled plasma (ICP) and the etching parameters is studied.The experimental results show that bias voltage,ratio of C 4F 8/SF 6 and pressure affect the side-wall roughness seriously.To minimize the roughness on waveguide sidewall,lower bias voltage,lower C 4F 8/SF 6 ratio and higher pressure etching condition are preferred.By optimizing the etching parameters,waveguides with smoother side-walls and smaller propagation loss are fabricated successfully. |
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| Keywords: | SOI ICP roughness rib waveguide |
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