| 一个利用线性区MOS管补偿的射频放大器 |
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| 引用本文： | 曹克,杨华中,汪蕙. 一个利用线性区MOS管补偿的射频放大器[J]. 固体电子学研究与进展, 2006, 26(1): 38-42 |
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| 作者姓名： | 曹克 杨华中 汪蕙 |
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| 作者单位： | 清华大学电,子工程系,北京,100084;清华大学电,子工程系,北京,100084;清华大学电,子工程系,北京,100084 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目 , 国家科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 研究了一种采用线性化技术的低电压CM O S射频放大器。电路中,并联一个工作在线性区的M O S管来提高其线性。采用SM IC的0.18μm工艺,流片测试结果显示,该电路用很小的功耗代价将放大器的输入三阶交截点功率提高了大约5 dB。
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| 关 键 词： | 互补金属氧化物半导体 低电压 射频 线性度 放大器 |
| 文章编号： | 1001-3819(2006)01-038-05 |
| 收稿时间： | 2005-03-14 |
| 修稿时间： | 2005-05-18 |
A RF Amplifier Compensated by Triode MOSFET |
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| CAO Ke,YANG Huazhong,WANG Hui. A RF Amplifier Compensated by Triode MOSFET[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2006, 26(1): 38-42 |
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| Authors: | CAO Ke YANG Huazhong WANG Hui |
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| Affiliation: | Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing , 100084,CHN |
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| Abstract: | A low-voltage CMOS radio frequency amplifier using linearizing technique was presented in which a parallel MOSFET in the triode region is used to boost the linearity.The circuit was fabricated with SMIC 0.18 μm process.Measurements showed that the input-referred 3rd-order intercept point was improved by ～5 dB at the cost of little addition of power dissipation. |
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| Keywords: | CMOS low-voltage radio frequency linearity amplifier |
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