首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

GaAs被动调Q固体激光特性研究
引用本文:杨济民,刘杰,何京良.GaAs被动调Q固体激光特性研究[J].量子电子学报,2005,22(4):542-544.
作者姓名:杨济民  刘杰  何京良
作者单位:山东师范大学物理与电子科学学院,山东,济南,250014;山东师范大学物理与电子科学学院,山东,济南,250014;山东师范大学物理与电子科学学院,山东,济南,250014
摘    要:使用紧凑的直线平-凹腔结构,利用半导体饱和吸收片GaAs实现了二极管(LD)端面抽运Nd:GdVO4高重复频率的被动调Q 1.06μm激光运转,在8 W的泵浦功率下获得平均输出功率达0.98 W的稳定激光输出,最小脉冲宽度为60 ns.最高重复频率达240 kHz.

关 键 词:激光技术  LD抽运  GaAs  被动调Q  Nd:GdVO4
文章编号:1007-5461(2005)04-0542-03
收稿时间:2004-06-23
修稿时间:2004年6月23日

Passive Q-switching of diode-pumped Nd:GdVO4 laser with GaAs
YANG Ji-min,LIU Jie,HE Jing-liang.Passive Q-switching of diode-pumped Nd:GdVO4 laser with GaAs[J].Chinese Journal of Quantum Electronics,2005,22(4):542-544.
Authors:YANG Ji-min  LIU Jie  HE Jing-liang
Abstract:We report the operation of a passively Q-switched diode-pumped Nd:GdVO4 laser, using GaAs as saturable absorber in a very simple compact plane-concave cavity. With 8 W incident pump power, passively Q-switched laser was obtained with an average power of 0.98 W. The shortest pulse width of 60 ns and the highest repetition rate of 240 kHz are realized.
Keywords:GaAs  Nd:GdVO4
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号