| 正交配置EBIC的线形 |
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| 引用本文： | 杨锡震,李永良.正交配置EBIC的线形[J].电子显微学报,2000,19(4):579-580. |
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| 作者姓名： | 杨锡震 李永良 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学分析测试中心,北京100875
2. 中科院材料科学实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 少子扩散长度(L)是表征半导体材料性能的一个重要参量。扫描电子显微镜的电子束感生电流(EBIC)常用于测定少子扩散长度,但由于表面复合的影响,给精确测定L值带来困难,本文给出一个简单模型,讨论了EBIC信号的线形,并结合GaP样品对少子扩散长度进行了讨论。对电子束入射方向z与结平面平行情形(即称为正交配置)中电子束感生电流线形进行理论分析。电子束沿x方向扫描,p-n结位于x=0的(y,z)平面内。电子束入射表面为z=0的(x,y)平面,见图1。由入射电子束感生的过剩载流子浓度:Δn(x,y,z)=I(x,y,z)g(x,y,z)(1)式中I(x,y,z)为(x,y,z)处入射电子…
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| 关 键 词： | 正交配置 EBIC信号 线形 分子扩散长度 半导体 |
The profile of EBIC in normalized configuration |
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| YANG Xi-zhen,LI Yong-liang.The profile of EBIC in normalized configuration[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2000,19(4):579-580. |
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| Authors: | YANG Xi-zhen LI Yong-liang |
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