室温非晶硅薄膜热电阻温度系数研究 |
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引用本文: | 伞振雷,谢建生,李金华.室温非晶硅薄膜热电阻温度系数研究[J].江苏工业学院学报,2012(3):9-13. |
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作者姓名: | 伞振雷 谢建生 李金华 |
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作者单位: | 常州大学数理学院,江苏常州213164 |
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摘 要: | 用离子束增强沉积(IBED)方法,在SiO2/Si衬底上沉积了非晶硅薄膜和注氢的非晶硅薄膜。研究薄膜的电阻温度系数(TCR)随制备工艺的变化,分析非晶硅薄膜电阻的稳定性对电阻温度系数的影响。本征非晶硅电阻太大,虽然经过适当地退火后,TCR能够达到6.39%K-1,但是电阻值还是过高,不适合制作器件。经过硼掺杂的非晶硅薄膜,电阻显著下降,相应的TCR可以达到6.80%K-1。制作的氢化非晶硅薄膜的电阻温度系数(TCR)高达8.72%K-1,且制作工艺简单,与常规集成电路工艺兼容性好。用离子束增强沉积的非晶硅薄膜可以用于制备红外探测仪。但实验还存在着重复性不好等问题,需要作深入的实验研究。
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关 键 词: | 非晶硅薄膜 离子束增强沉积 热电阻温度系数 红外探测仪 |
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