| 新型三端自旋转移扭矩随机存储器器件的模拟研究 |
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| 引用本文： | 张树超,胡江峰,陈培毅,邓宁. 新型三端自旋转移扭矩随机存储器器件的模拟研究[J]. 半导体学报, 2011, 32(7): 074007-3 |
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| 作者姓名： | 张树超 胡江峰 陈培毅 邓宁 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子所,新加坡数据存储研究院,清华大学微电子所,清华大学微电子所 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划 |
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| 摘 要： | 为了提高自旋转移扭矩随机存储器的性能，尤其是它的写速度，我们提出了几种三端自旋转移扭矩随机存储器的改进结构。利用微磁模拟对几种新结构单元的磁动态过程进行研究，发现改进的几种新结构单元中，性能最好的新结构比原始的方形的三端器件单元写速度快120%。这种优化的三端器件在保证三端器件可靠性的同时大大提高了速度。
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| 关 键 词： | 终端设备 STT RAM 随机存取存储器 仿真 结构动态 自旋转移 写入速度 |
| 修稿时间： | 2011-03-21 |
Simulation study of new 3-terminal devices for high speed STT-RAM |
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| Zhang Shuchao,Hu Jiangfeng,Chen Peiyi and Deng Ning. Simulation study of new 3-terminal devices for high speed STT-RAM[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2011, 32(7): 074007-3 |
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| Authors: | Zhang Shuchao Hu Jiangfeng Chen Peiyi Deng Ning |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Tsinghua University,Data Storage Institute, A*STAR, Singapore,Institute of Microelectronics, Tsinghua University,Institute of Microelectronics, Tsinghua University |
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| Abstract: | To improve the performance of spin transfer torque random access memory (STT-RAM), especially writing speed, we propose three modified 3-terminal STT-RAM cells. A magnetic dynamic process in the new structures was investigated through micro-magnetic simulation. The best switching speed of the new structures is 120% faster than that of the rectangular 3-terminal device. The optimized 3-terminal device offers high speed while maintaining the high reliability of the 3-terminal structure. |
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| Keywords: | spin transfer torque non-volatile memory spin valve micro-magnetic simulation |
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