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| 砷化镓在O_2~＋与Cs~＋离子轰击下二次离子发射的研究 | |
| 引用本文： | 陈新,陈春华,王佑祥.砷化镓在O_2~＋与Cs~＋离子轰击下二次离子发射的研究[J].半导体学报,1995,16(2):125-132. |
| 作者姓名： | 陈新 陈春华 王佑祥 |
| 作者单位： | 中国科学院表面物理实验室，中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文研究了各种实验参数对Ｏ－ＳＩＭＳ和Ｃｓ－ＳＩＭＳ中ＧａＡｓ二次离子发射的影响，和样品室中氧分压对ＧａＡｓ二次离子发射的增强效应．实验表明，与Ａｒ－ＳＩＭＳ不同，Ｏ－ＳＩＭＳ和Ｃｓ－ＳＩＭＳ中随Ｅｐ增加二次离子的强度反而有所下降，而样品室注入氧可以提高正二次离子产额，但需要达到较高的氧分压：１０－３Ｐａ．二次离子能量分布测量表明，对Ｏ－ＳＩＭＳ，二次离子强度在Ｖｂｉａｓ＝３０Ｖ左右达到最大值，对Ｃｓ－ＳＩＭＳ，二次离子强度在Ｖｂｉａｓ＝－２０Ｖ左右达到最大值． |
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