DC/DC变换电路中开关器件损耗计算及仿真 |
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引用本文: | 宋素静,王步根.DC/DC变换电路中开关器件损耗计算及仿真[J].电工技术,2023(11):1-3. |
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作者姓名: | 宋素静 王步根 |
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作者单位: | 通达电磁能股份有限公司;湖南湘电动力股份有限公司 |
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摘 要: | 根据开关器件的物理模型,分析并计算了开关器件在DC/DC变换电路中的功率损耗。针对工程应用中开关器件损耗计算的实时性和精确性要求,利用功率开关器件手册提供的产品参数,分别计算了逆变部分的SiC MOSFET模块和整流部分的整流二极管的器件损耗。将计算值与PLECS仿真结果进行对比,结果表明该计算方法可得到较为准确的计算损耗,进一步提高了工程应用中损耗计算的准确性。
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关 键 词: | DC/DC变换 损耗 碳化硅MOSFET 仿真 |
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