| MOS VLSI可靠性浅析 |
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| 引用本文： | 郭士东. MOS VLSI可靠性浅析[J]. 微处理机, 1996, 0(4): 20-23 |
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| 作者姓名： | 郭士东 |
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| 作者单位： | 电子工业部东北微电子研究所!沈阳110032 |
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| 摘 要： | 本文论述了ＭＯＳＶＬＳＩ主要失效机理，即薄氧化层击穿，热载流子效应，铝－硅接触失效，电迁移以及软错误，并给出了预防上述失效的一些技术措施。
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| 关 键 词： | VLSI MOS 可靠性 集成电路 |
MOS VLSI Reliability Superficial Analysis |
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| Guo Shidong. MOS VLSI Reliability Superficial Analysis[J]. Microprocessors, 1996, 0(4): 20-23 |
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| Authors: | Guo Shidong |
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| Abstract: | This paper describes main failure mechanism for MOS VLSI, Thin oxide breakdown, hot carrier effect, Al - Si contact failure, electromigration and soft errors. It gives out some technical measures to prevent above-mentioned failures. |
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| Keywords: | failure mechanism electromigration LATID soft errors |
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