垂直磁记录CoCr薄膜取向特性分析

用ＶＳＭ测量了不同最大外磁下ＣｏＣｒ薄膜的磁滞回线角度关系，分析了不同矫顽力Ｈｃ和不同膜厚ｔｍ薄膜的矩形比Ｓ（θ）和取向度ＯＲ（θ）特性，讨论了垂直磁记录用ＣｏＣｒ薄膜的取向特性，虽然ＣｏＣｒ合金薄膜有较好的晶体学取向（小的Ａθ５０），但低矫顽力Ｈｃ薄膜在剩磁状态磁化强度易轴明显偏离薄膜的垂直方向，而高矫顽力Ｈｃ１薄膜，无论外场怎样变化，磁化强度易轴总是垂直薄膜平面。膜厚增加，磁化强度垂直取向度变好。