| 溅射法制备a-GaN薄膜的光学性质 |
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| 引用本文： | 贾璐,谢二庆,潘孝军,张振兴. 溅射法制备a-GaN薄膜的光学性质[J]. 半导体学报, 2006, 27(z1): 109-112 |
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| 作者姓名： | 贾璐 谢二庆 潘孝军 张振兴 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 利用直流磁控溅射方法制备了非晶氮化镓(a-GaN)薄膜.X射线衍射分析以及傅里叶变换红外吸收谱表明薄膜是非晶结构.通过紫外-可见光谱测量得到,样品随着衬底温度的升高而变厚,光学带隙随着衬底温度的升高而变小,Ar对薄膜的光学带隙和表面粗糙程度有很大的影响.
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| 关 键 词： | 直流溅射 a-GaN薄膜 光学带隙 吸收系数 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0109-04 |
| 修稿时间： | 2005-10-30 |
Optical Properties of a-GaN Deposited by Sputtering |
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| Jia Lu,Xie Erqing,Pan Xiaojun,Zhang Zhenxing. Optical Properties of a-GaN Deposited by Sputtering[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(z1): 109-112 |
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| Authors: | Jia Lu Xie Erqing Pan Xiaojun Zhang Zhenxing |
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