| n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺 |
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| 引用本文： | 石铭,邵秀梅,唐恒敬,李淘,李雪,龚海梅,黄星,曹高奇,王瑞,李平. n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺[J]. 红外与毫米波学报, 2016, 35(1): 47-51 |
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| 作者姓名： | 石铭 邵秀梅 唐恒敬 李淘 李雪 龚海梅 黄星 曹高奇 王瑞 李平 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划资助973项目(No.2012CB619200)；国家自然科学基金(No.61205105、61376052和61475179)Foundation items: National Key Basic Research and Development Program of China (No.2012CB619200); the National Natural Science Foundation of China (No.61205105, 61376052 and 61475179). |
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| 摘 要： | 采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉积一层Si Nx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电流特性,在-10 m V偏压下,在200 K和300 K温度下暗电流密度分别为94.2 n A/cm2和5.5×10-4A/cm2.
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| 关 键 词： | InGaAs ICPCVD 暗电流 n on p 钝化 |
| 收稿时间： | 2015-03-10 |
| 修稿时间： | 2015-03-27 |
ICPCVD passivation of n on p structure deep mesa extended wavelength InGaAs photodetectors |
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| SHI Ming,SHAO Xiu-Mei,TANG Heng-Jing,LI Tao,LI Xue,GONG Hai-Mei,HUANG Xing,CAO Gao-Qi,WANG Rui and LI Ping. ICPCVD passivation of n on p structure deep mesa extended wavelength InGaAs photodetectors[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2016, 35(1): 47-51 |
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| Authors: | SHI Ming SHAO Xiu-Mei TANG Heng-Jing LI Tao LI Xue GONG Hai-Mei HUANG Xing CAO Gao-Qi WANG Rui LI Ping |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,sitp,sitp,sitp and sitp |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAs ICPCVD Dark current n on p Passivation |
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