| 通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究 |
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| 引用本文： | 王铁山,王志国,高东风.通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究[J].核电子学与探测技术,2000,20(1):17-21. |
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| 作者姓名： | 王铁山 王志国 高东风 |
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| 作者单位： | 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，19845002， |
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| 摘 要： | 重点研讨通过改变探测器偏压，进而改变探测器的ＰＮ结（有效探测灵敏区）厚度，实验对带电粒子的种类和能量鉴别的实验方法及其实际应用。实验测量了３ＭｅＶ质子和６．０５ＭｅＶα粒子在金硅面垒探测器Ｓｉ（Ａｕ）中的能损与探测器偏压关系曲线。同时利用刻度过的探测器鉴别氚离子束轰击氚钛（ＴｉＤｘ）靶发射的带电粒子能谱。在很强的本底情况下通过调节探测器偏压（灵敏区厚度）实现了对能量相近的不同带电粒子的有效鉴别和测
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| 关 键 词： | 金硅面垒探测器 带电粒子鉴别 D－D反应 D－T反应 |
| 文章编号： | 0258-0934(2000)01-0017-05 |
| 修稿时间： | 1998-11-15 |
The method and application of charged particles identification by adjusting the active thickness of Si(Au) detector |
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| WANG Tie-shan,WANG Zhi-guo,GAO Dong-feng.The method and application of charged particles identification by adjusting the active thickness of Si(Au) detector[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2000,20(1):17-21. |
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| Authors: | WANG Tie-shan WANG Zhi-guo GAO Dong-feng |
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| Affiliation: | WANG Tie-shan,WANG Zhi-guo,GAO
Dong-feng
(Institute of Modern Physics,Academia Sinica,of Gansu Prou,Lanzhou 730000,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon surface barrier detector (Si(Au)) identification of charged particles D D fusion D T fusion |
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