| (SiC)P表面化学修饰及其热力学机理分析 |
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| 引用本文： | 宿辉,蔡伟.(SiC)P表面化学修饰及其热力学机理分析[J].材料科学与工程学报,2007,25(5):683-685. |
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| 作者姓名： | 宿辉 蔡伟 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学,材料科学与工程流动站,黑龙江,哈尔滨,150001;黑龙江工程学院材料与化学工程系,黑龙江,哈尔滨,150050
2. 哈尔滨工业大学,材料科学与工程流动站,黑龙江,哈尔滨,150001 |
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| 基金项目： | 黑龙江省博士后科研启动基金
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黑龙江省科技攻关项目
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黑龙江省教育厅骨干资助项目 |
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| 摘 要： | 利用简单的化学镀技术,通过改进前处理工艺,实现了(SiC)p的表面化学改性.通过对反应条件的分析比较,确定了最佳温度为40℃、pH值9.0;采用SEM、EDS和XRD,对修饰前、后(SiC)p的物相、晶形、成分等进行了研究,获得了镀层连续,无光滑(SiC)p裸露的较高质量的改性碳化硅复合粉体简写为(Ni/SiC)p].同时对(SiC)p表面改性的热力学机理给出初步分析,并从理论上验证了反应条件.
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| 关 键 词： | (SiC)p 表面修饰 化学镀 热力学 |
Surface Chemical Decoration of (SiC)p and Thermodynamic Principium Analysis |
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| XU Hui,CAI Wei.Surface Chemical Decoration of (SiC)p and Thermodynamic Principium Analysis[J].Journal of Materials Science and Engineering,2007,25(5):683-685. |
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| Authors: | XU Hui CAI Wei |
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