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| 纳米时代的新型CMOS器件 | |
| 作者姓名： | 甘学温 黄爱华 等 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所(甘学温，黄爱华，卜伟海)，北京大学微电子学研究所(张兴) |
| 摘 要： | 体硅CMOS技术已经发展了25年以上,成为VLSI的主流技术,通过不断缩小器件尺寸CMOS VLSI的集成度已增长了6个数量级,电路性能也不断提高。现在,0.1gm(100nm)以下的CMOS器件已开始从实验室走入生产线,已有文献报导研制出沟道长度 |
| 关 键 词： | CMOS器件 场效应晶体管 纳米 |
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