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集成电路前部工艺逐步提升
引用本文:王芳.集成电路前部工艺逐步提升[J].世界产品与技术,2001(3):20-21.
作者姓名:王芳
作者单位:电子科技情报所
摘    要:比较先进的集成电路制造厂从1994年至今从0.5微米工艺开始,先后完成了0.35μm和0.25μm工艺的投产,进入0.18μm的生产阶段。在此间工艺的换代比以前加快了,也比较顺利。但是,在同一公司不同代的工艺总要并存一段时期。随着工艺的提高,产品中有效沟道长度缩短了,工作电压也相应降低。在此期间产品电压由原来的5伏,逐步降为3.3V、3V、2.2V和1.8V。

关 键 词:集成电路  前部工艺  制造工艺
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