集成电路前部工艺逐步提升 |
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引用本文: | 王芳.集成电路前部工艺逐步提升[J].世界产品与技术,2001(3):20-21. |
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作者姓名: | 王芳 |
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作者单位: | 电子科技情报所 |
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摘 要: | 比较先进的集成电路制造厂从1994年至今从0.5微米工艺开始,先后完成了0.35μm和0.25μm工艺的投产,进入0.18μm的生产阶段。在此间工艺的换代比以前加快了,也比较顺利。但是,在同一公司不同代的工艺总要并存一段时期。随着工艺的提高,产品中有效沟道长度缩短了,工作电压也相应降低。在此期间产品电压由原来的5伏,逐步降为3.3V、3V、2.2V和1.8V。
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关 键 词: | 集成电路 前部工艺 制造工艺 |
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