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| 基于紧束缚模型的双层石墨烯能带结构 | |
| 引用本文： | 王影.基于紧束缚模型的双层石墨烯能带结构[J].硅谷,2014(21):22-22. |
| 作者姓名： | 王影 |
| 作者单位： | 安徽建筑大学数理学院,安徽合肥,230601 |
| 基金项目： | 安徽建筑大学校青年专项项目(编号2011183-18)。 |
| 摘 要： | 双层石墨烯是能隙可调控的半导体材料,由于具有奇特的电学性质和光学性质,因此,此类材料有望在光电子工业引起新的革命。本文采用紧束缚模型方法 ,给出双层石墨烯动量表象的哈密顿矩阵,数值计算了能带结构,分析了双层石墨烯中三种层间跃迁对能带结构的影响。 |
| 关 键 词： | 双层石墨烯 紧束缚模型 能带结构 |
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