| PDP列驱动芯片能量恢复效率模型 |
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| 引用本文： | 华国环,刘清惓.PDP列驱动芯片能量恢复效率模型[J].液晶与显示,2014,29(6):989. |
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| 作者姓名： | 华国环 刘清惓 |
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| 作者单位： | 华国环:南京信息工程大学 电子与信息工程学院，江苏 南京 210044
刘清惓:南京信息工程大学 电子与信息工程学院，江苏 南京 210044
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| 基金项目： | 国家公益性行业科研专项(No.GYHY201306079);国家自然科学基金(No.41275042);江苏高校优势学科建设工程资助项目;南京信息工程大学科研基金(No.2013X046) |
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| 摘 要： | 为了分析PDP列驱动芯片的能量恢复效率,提出了2种分析模型。DPLD(double-channel p-type lateral extended drain MOS)管是列驱动芯片中能量恢复电路的核心元器件。CRC(电容-电阻-电容)等效电路模型适用于漏电流能力较弱的DPLD管;VCCS(压控电流源)模型适用于漏电流能力较强的DPLD管;测试结果显示CRC和VCCS模型都具备较高的精度,模型误差分别是2.26%和4.04%。CRC模型揭示了影响列驱动芯片能量恢复效率的因素有3个,分别是:充电时间、沟道电阻、负载电容。2种模型分析的对比结果表明,沟道电阻对列驱动芯片的能量恢复效率影响很大,使用较小沟道电阻的DPLD管可以显著提高PDP列驱动芯片的能量恢复效率。CRC和VCCS模型可用于精确预测列驱动芯片的能量恢复效率。
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| 关 键 词： | 分析模型 PDP列驱动芯片 DPLD管 寻址功耗 能量恢复效率 |
| 收稿时间： | 2014/2/19 |
Models for energy recovery efficiency of PDP data driver IC |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | analytical model[PDP data driver IC[DPLD transistor[address power[energy recovery efficiency |
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